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STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 430 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 430 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.6V, MPN: STD13N65M2

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STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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