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Spelsberg Gehäuseplatte Typ Trennwand B. 370mm H. 3mm L. 110mm Grau Für GEOS-L 3040-18 Leeres Gehäuse

About The 3mm L. 370mm H

370mm H. Spelsberg Gehäuseplatte Typ Trennwand B. 3mm L. 110mm Grau für GEOS-L 3040-18 Leeres Gehäuse, MPN: 72103401

Elektromechanik & Automation und Kabel > Gehäuse und Server-Racks > Gehäuse und Rack-Komponenten > Gehäuseplatten

Spelsberg Gehäuseplatte Typ Trennwand B. 370mm H. 3mm L. 110mm Grau Für GEOS-L 3040-18 Leeres Gehäuse

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Specifications of Spelsberg Gehäuseplatte Typ Trennwand B. 370mm H. 3mm L. 110mm Grau Für GEOS-L 3040-18 Leeres Gehäuse

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Spelsberg Gehäuseplatte Typ Trennwand B. 370mm H. 3mm L. 110mm Grau Für GEOS-L 3040-18 Leeres Gehäuse
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XP Power IHL02 DC/DC-Wandler 2W 15 V dc IN, 12V dc OUT / 167mA Durchsteckmontage 5.2kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 12V dc, Eingangsspannung: 13,5 → 16,5 V dc, Isoliert: Ja, Gehäuse: SIP 7, Isolationsspannung: 5.2kV dc, Tiefe: 10mm, Länge: 19.5mm, Breite: 7.2mm, Lastausregelung: 0.1, MPN: IHL0215S12
    • SMC KM 8-mm-Steckanschluss x Rc 3/8 Befestigung mit einem Handgriff, Gewinde-zu-Rohr, Rc 3/8, MPN: KM12-08-03-6

    SMC KM 8-mm-Steckanschluss x Rc 3/8 Befestigung mit einem Handgriff, Gewinde-zu-Rohr, Rc 3/8, MPN: KM12-08-03-6

    SMC KM 8-mm-Steckanschluss x Rc 3/8 Befestigung mit einem Handgriff, Gewinde-zu-Rohr, Rc 3/8.

    • Panasonic P5KS Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 80-polig / 2-reihig, Raster 0.5mm, Lötanschluss-Anschluss, 5.0A,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Oberflächenmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Nennstrom: 5A, MPN: AXK6S80547YG
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRLR024NTRPBF
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRLR024NTRPBF