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Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON

About The : ±20 V, Länge: 3.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TPN14006NH,L1Q(M

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 340 A 170 W, 8-Pin SOP, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: TPHR8504PL
Rubycon PK, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 33μF ±20% / 250V dc, Ø 10mm x 20mm, +85°C, Kapazität: 33µF, Spannung: 250V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 10 (Dia.) x 20mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Anschlussraster: 5mm, Lebensdauer: 2000h, Leckstrom: 0,04 CV + 100 μA (1 min); 0,02 CV + 25 μA (5 min) (CV1000), 0,1 CV + 40 μA (1 min); 0,03 CV + 15 μA (5 min) (CV1000), Brummstrom: 205mA eff., MPN: 250PK33MEFC10X20
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Specifications of Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON

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Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON
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Rating :- 8.04 /10
Votes :- 40
Mascot Workwear 19178-511 Unisex Warnschutzhose, Schwarz, Gelb, Größe 90cm x 82cm, Art: Hosen, Materialeigenschaften: Leicht, Wasserabweisend,, Elastischer Taillenbund: Nein, MPN: 5711074826124
    • TE Connectivity Metallschicht SMD-Widerstand 5% / 1W, MPN: SMQF16K8JT

    TE Connectivity Metallschicht SMD-Widerstand 5% / 1W, MPN: SMQF16K8JT

    TE Connectivity Metallschicht SMD-Widerstand 5% / 1W.

    • Omron Signalrelais SMD Printrelais, 5V dc Spule, 2-poliger Wechsler, 2A, 250V ac / 220V dc, SMD, Spulenspannung: 5V dc, Montage Typ: Oberflächenmontage, Schaltstrom: 2 A, Schaltspannung DC max.: 220V dc, Schaltleistung DC max.: 60 W, Länge: 14.8mm, Tiefe: 9.2mm, Abmessungen: 14.8 x 9.2 x 9.2mm, Spulenwiderstand: 125 Ω, Kontaktmaterial: Vergoldet, MPN: G6SK-2F DC5
    • Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: TPN2R304PL
    • Mascot Workwear 19178-511 Unisex Warnschutzhose, Schwarz, Gelb, Größe 78cm x 82cm, Art: Hosen, Materialeigenschaften: Leicht, Wasserabweisend,, Elastischer Taillenbund: Nein, MPN: 5711074826094
    • Rubycon PK, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 33μF ±20% / 250V dc, Ø 10mm x 20mm, +85°C, Kapazität: 33µF, Spannung: 250V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 10 (Dia.) x 20mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Anschlussraster: 5mm, Lebensdauer: 2000h, Leckstrom: 0,04 CV + 100 μA (1 min); 0,02 CV + 25 μA (5 min) (CV1000), 0,1 CV + 40 μA (1 min); 0,03 CV + 15 μA (5 min) (CV1000), Brummstrom: 205mA eff., MPN: 250PK33MEFC10X20
    • Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TPN14006NH,L1Q(M
    • Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 340 A 170 W, 8-Pin SOP, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: TPHR8504PL
    • Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TPN14006NH,L1Q(M
    • Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 340 A 170 W, 8-Pin SOP, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: TPHR8504PL