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Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON

About The Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: +175 °C, MPN: TPN2R304PL

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: TPN2R304PL

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON

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Specifications of Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON

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