Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: TPN2R304PL
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON
Specifications of Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |