Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 250 mA 150 mW, 3-Pin SOT-723, Drain-Source-Widerstand max.: 5,6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±10 V, Länge: 0.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SSM3K37MFV,L3F(B
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Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 250 MA 150 MW, 3-Pin SOT-723
Specifications of Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 250 MA 150 MW, 3-Pin SOT-723 | |
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