Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 500 mW, 6-Pin UF6, Drain-Source-Widerstand max.: 66 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±10 V, Länge: 1.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SSM6K403TU
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Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 500 MW, 6-Pin UF6
Specifications of Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 500 MW, 6-Pin UF6 | |
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