Toshiba N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 MA 500 MW, 6-Pin SOT-363
About The : 1,75 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2
Toshiba N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 1,75 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SSM6N7002KFU
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 MA 500 MW, 6-Pin SOT-363
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Toshiba N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 MA 500 MW, 6-Pin SOT-363 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
