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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 56 A, 3-Pin TO-220AB

About The Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 56 A, 3-Pin TO-220AB, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFB260NPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 56 A, 3-Pin TO-220AB, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFB260NPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 56 A, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 56 A, 3-Pin TO-220AB

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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 56 A, 3-Pin TO-220AB
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John Guest PM 6-mm-Steckanschluss x 4-mm-Steckanschluss Winkel-Einsteckadapter, Rohr-zu-Rohr, Acetalcopolymer, 16 bar, Betriebstemperatur (max.): +65°C, Betriebstemperatur (min.): -20°C, Rohranschluss A - Rohrgröße: 6mm, Rohranschluss B - Typ: Drückend, MPN: PM210604E
    • Texas Instruments Spannungsüberwachung SOP 3-Pin, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 2.92 x 1.3 x 1mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Betriebstemperatur min.: -40 °C, MPN: TPD2E009DBZR
    • Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 1MΩ ±5% / 0.25W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: RC1206JR-071ML

    Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 1MΩ ±5% / 0.25W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: RC1206JR-071ML

    25W, 1206 (3216M) Gehäuse.Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 1MΩ ±5% / 0.

    • Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 1.5kΩ ±5% / 0.25W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: RC1206JR-071K5L
    • Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 1.2kΩ ±5% / 0.25W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: RC1206JR-071K2L

    Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 1.2kΩ ±5% / 0.25W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: RC1206JR-071K2L

    25W, 1206 (3216M) Gehäuse.2kΩ ±5% / 0.Yageo Dickschicht SMD Festwiderstand 1.

    • John Guest PM 10-mm-Steckanschluss x 8-mm-Steckanschluss Winkel-Einsteckadapter, Rohr-zu-Rohr, Acetalcopolymer, 10 bar, Betriebstemperatur (max.): +65°C, Betriebstemperatur (min.): -20°C, Rohranschluss A - Rohrgröße: 10mm, Rohranschluss B - Typ: Drückend, MPN: PM211008E
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 56 A, 3-Pin TO-220AB, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFB260NPBF
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 24 A, 3-Pin TO-220 vollständiges Pak, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFI1310NPBF
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 56 A, 3-Pin TO-220AB, Channel-Modus: Enhancement, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFB260NPBF
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 24 A, 3-Pin TO-220 vollständiges Pak, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFI1310NPBF