onsemi NPN Darlington-Transistor 350 V 4 A HFE:2000, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Montage-Typ: SMD, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: 2 V, Kollektor-Basis-Spannung max.: 700 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 1,5 V, Kollektor-Abschaltstrom max.: 250mA, Abmessungen: 6.73 x 7.49 x 2.38mm, MPN: NJD35N04T4G
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Onsemi NPN Darlington-Transistor 350 V 4 A HFE:2000, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach
Specifications of Onsemi NPN Darlington-Transistor 350 V 4 A HFE:2000, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach | |
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