Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 29 A 79 W, 4-Pin LFPAK33
About The 45V, Gate-Schwellenspannung min.: 97 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 29 A 79 W, 4-Pin LFPAK33, Drain-Source-Widerstand max.: 97 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.45V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 15 V, Länge: 3.4mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: BUK9M34-100EX
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 29 A 79 W, 4-Pin LFPAK33
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Specifications of Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 29 A 79 W, 4-Pin LFPAK33 | |
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