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Onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The : –25 V, +25 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: FDS9435A

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Phoenix Contact HC Netzsteckverbindergehäuse, MPN: 1412558

Phoenix Contact HC Netzsteckverbindergehäuse, MPN: 1412558

Phoenix Contact HC Netzsteckverbindergehäuse.

    • RS PRO LWL-Kabel 1m Multi Mode Patchkabel Orange 50/125μm SC SC, Abgeschlossen/Nicht abgeschlossen: Abgeschlossen, Aderdurchmesser: 50/125µm, Kabelkonstruktion: Duplex, Faser Typ: OM2, Dämpfung: 0,3 dB, Mantelmaterial: Raucharm halogenfrei (LSZH), Standards: IEC 61300-3-4
    • nVent SCHROFF Führungsschiene, Polycarbonat, 2mm breit, 160mm tief, Distrelec Product Id: 30225179, MPN: 24568-363
    • onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,5 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 38 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDS6930B
    • onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,5 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 38 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDS6930B