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Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 2 → 4V, MPN: SIHB21N80AE-GE3.Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,205 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2 → 4V, MPN: SIHB21N80AE-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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