Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 2,8 A 15,6 W, 8-Pin DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.: 445 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.7V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 2.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: PMPB215ENEAX
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Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 2,8 A 15,6 W, 8-Pin DFN2020
Specifications of Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 2,8 A 15,6 W, 8-Pin DFN2020 | |
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