Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 88 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 12,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: TK60S06K3L
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Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 88 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 88 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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