Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 9,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 9,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +10 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: TJ60S04M3L
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
