reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 27 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 130 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 27 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 130 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +10 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: TJ8S06M3L

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 27 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 27 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Category
Instockinstock

Last Updated

Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 27 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
More Varieties

Rating :- 9.88 /10
Votes :- 39