Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 15,8 A 139 W, 5-Pin DFN
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Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 15,8 A 139 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.7V, MPN: TK16V60W
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 15,8 A 139 W, 5-Pin DFN
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Specifications of Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 15,8 A 139 W, 5-Pin DFN | |
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