Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
About The : 2,2 E+008 Ω, Gate-Schwellenspannung max.2V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: SSM3K339R,LF(T
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 2,2 E+008 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: SSM3K339R,LF(T
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A, 3-Pin SOT-23 | |
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