Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 8,84e+007 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: SSM3J328R,LF(T
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Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A, 3-Pin SOT-23
Specifications of Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A, 3-Pin SOT-23 | |
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