STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 35 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.6mm, MPN: STD25NF10LT4
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STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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