onsemi SUPERFET III N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 6 A, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 0,6 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: FCPF600N65S3R0L-F154
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Onsemi SUPERFET III N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 6 A, 3-Pin TO-220F
Specifications of Onsemi SUPERFET III N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 6 A, 3-Pin TO-220F | |
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