Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPB60R040CFD7ATMA1
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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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