reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP

About The Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPB60R040CFD7ATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP
More Varieties

Rating :- 9.83 /10
Votes :- 43