Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 135 V / 129 A 441 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 8,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 135 V / 129 A 441 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 8,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, Höhe: 9.65mm, MPN: IRF135S203
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 135 V / 129 A 441 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 135 V / 129 A 441 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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