Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 8,4 A 74 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : -30 V, +30 V, Länge: 6.: 2
Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 8,4 A 74 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 800 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IPD60R800CEAUMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 8,4 A 74 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 8,4 A 74 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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