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Infineon CoolMOSâ„¢ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 3 A, 3-Pin SOT-223

About The Infineon CoolMOSâ„¢ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 3 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 3

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 3 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 2000 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPN70R2K0P7SATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOSâ„¢ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 3 A, 3-Pin SOT-223

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Specifications of Infineon CoolMOSâ„¢ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 3 A, 3-Pin SOT-223

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Infineon CoolMOSâ„¢ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 3 A, 3-Pin SOT-223
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SMC Pneumatikzylinder & Betätiger-Schalter F8N Halbleiterrelais NPN, Verwendbar mit: F8B, F8P, MPN: D-F8N

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SMC Pneumatikzylinder & Betätiger-Schalter F8N Halbleiterrelais NPN.

    • Nito Schlauchanschluss 1Zoll 1Zoll-Gewinde Messing Buchse 25 bar, Schlauch-Endverbindertyp: Gewindekupplung, Verbinder Richtung: Gerade, Thread-Standard: BSP, MPN: 73610A3
    • Nichicon CP, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 100μF ±20% / 450V dc, Ø 16mm x 35.5mm, bis 105°C, Kapazität: 100µF, Spannung: 450V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 16 x 35.5mm, Betriebstemperatur min.: -25°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 7.5mm, Lebensdauer: 10000h, Leckstrom: 1900 μA, Brummstrom: 730mA eff., MPN: UCP2W101MHD
    • EPIC H-BE Schwere Steckverbinder Steckverbindersatz, Stecker 6-polig, 440 V / 35A, Gewindegröße: PG21, Kontakt-Format: 6P+E, Gehäuseausrichtung: Seiteneingang, Distrelec Product Id: 30421783, MPN: 10082000+10170000+12954500
    • TE Connectivity MULTILOCK 070 Steckverbindergehäuse Buchse 3.5mm, 6-polig / 1-reihig gewinkelt, Durchsteckmontage, Gender: Female, Gehäuseausrichtung: Rechtwinklig, Länge: 34.8mm, Breite: 12.5mm, Gehäusematerial: PBT, MPN: 175783-2
    • ABB TEXTCAP#KTC4-9004, MPN: 1SFA616904R9004
    • Infineon CoolMOSâ„¢ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 3 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 2000 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPN70R2K0P7SATMA1
    • Nanahoshi Kagaku NJW 20 Rundsteckverbinder Buchse 12-polig / 5.0A, Tafelmontage, Lötanschluss, Kontakt Gender: Male, Anschlussart: Löten, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 250.0 V, MPN: NJW-2012-RM
    • Infineon CoolMOSâ„¢ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 3 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 2000 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPN70R2K0P7SATMA1
    • Nanahoshi Kagaku NJW 20 Rundsteckverbinder Buchse 12-polig / 5.0A, Tafelmontage, Lötanschluss, Kontakt Gender: Male, Anschlussart: Löten, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 250.0 V, MPN: NJW-2012-RM