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Infineon CoolMOS™ G7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 8-Pin HSOF-8

About The : 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon CoolMOS™ G7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max

Infineon CoolMOS™ G7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPT60R080G7XTMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ G7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 8-Pin HSOF-8

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Specifications of Infineon CoolMOS™ G7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 8-Pin HSOF-8

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Infineon CoolMOS™ G7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 8-Pin HSOF-8
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ROHM DTC143XMT2L SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SC-105AA 3-Pin, Verlustleistung max.: 150 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter-Widerstand: 10kΩ, Abmessungen: 1.3 x 0.9 x 0.45mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Eingangswiderstand typ.: 4,7 kΩ, Widerstandsverhältnis: 2,1
    • Seeed Studio Schnellstarterkit für Raspberry Pi 3 mit Kabeln, Gehäuse und vorinstallierter OS MicroSD-Karte Teile-Kit, Formfaktor: Add-on, MPN: 110060463

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    • Festo VOFD Pneumatik-Magnetventil Monostable G1/4, Elektrisch-betätigt, MPN: VOFD-L12T-M32-MN-G14-8-F19

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    • RS PRO NMSF Druckluftrohr Nylon Blau, Innen-Ø 8.5mm / Außen 12mm x 30m bis 12,5 bar, Anwendung: Druckluftbremse, Kraftstoff- und Schmierölanwendungen, Industrie- und Automotive-Produktionslinien, Instrumentation- und Sekundärluftsysteme, Betriebstemperatur (min.): -40°C, Betriebstemperatur (max.): +80°C, Besondere Merkmale: Abriebfest
    • Seeed Studio Air Quality Sensor v1.3 Entwicklungskit für Grove-System, Prüfung der Raumluftqualität, Distrelec Product Id: 30069851, MPN: 101020078
    • Seeed Studio Entwicklungsplatine Grove-Gestensensor Arduino kompatible Platinen, Distrelec Product Id: 30069855, MPN: 101020083
    • Infineon CoolMOS™ G7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPT60R080G7XTMA1
    • Icel PMB Polypropylenkondensator PP 1.5μF ±10 / 1.2 kV dc, 630 V ac, Schraubmontage, Kapazität: 1.5µF, Länge: 43mm, Tiefe: 33mm, Höhe: 45mm, Abmessungen: 43 x 33 x 45mm, Anschlussklemmentyp: Lötfahne, MPN: PMB2124150KSP
    • Infineon CoolMOS™ G7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPT60R080G7XTMA1
    • Icel PMB Polypropylenkondensator PP 1.5μF ±10 / 1.2 kV dc, 630 V ac, Schraubmontage, Kapazität: 1.5µF, Länge: 43mm, Tiefe: 33mm, Höhe: 45mm, Abmessungen: 43 x 33 x 45mm, Anschlussklemmentyp: Lötfahne, MPN: PMB2124150KSP