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STMicroelectronics Entwicklungskit Analog, High-performance Op Amps Sample Kit

About The STMicroelectronics Entwicklungskit analog, High-performance Op Amps Sample kit, Vorgestelltes Gerät: TS880ICT, TS3011ICT, TSB571ILT, TSB611ILT, TSB711AILT, TSB712AIST, TSB7191AILT, TSU101ICT, TSU111ICT, TSU112IST, TSV711ICT, TSV731ICT, TSX393IPT, TSX561AILT, TSX631AILT, TSX711ILT, TSX921ILT, TSX9291ILT, TSZ121ICT, TSZ181ILT, TSZ182IST, MPN: KITOPAMP1120

STMicroelectronics Entwicklungskit analog, High-performance Op Amps Sample kit, Vorgestelltes Gerät: TS880ICT, TS3011ICT, TSB571ILT, TSB611ILT, TSB711AILT, TSB712AIST, TSB7191AILT, TSU101ICT, TSU111ICT, TSU112IST, TSV711ICT, TSV731ICT, TSX393IPT, TSX561AILT, TSX631AILT, TSX711ILT, TSX921ILT, TSX9291ILT, TSZ121ICT, TSZ181ILT, TSZ182IST, MPN: KITOPAMP1120

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Raspberry Pi & Arduino & ROCK und Entwicklungstools > Entwicklungstools und Single Board Computer > Analoge Entwicklungstools

STMicroelectronics Entwicklungskit Analog, High-performance Op Amps Sample Kit

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Specifications of STMicroelectronics Entwicklungskit Analog, High-performance Op Amps Sample Kit

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STMicroelectronics Entwicklungskit Analog, High-performance Op Amps Sample Kit
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SMC SYJ5000 Vorgesteuertes Magnetventil Normally Closed M5, Luft-betätigt 24V dc, Magnetspulen-Spannung: 24V dc, MPN: SYJ512-5LOU-M5-F-Q
    • SMC T Druckluftschlauch Nylon 12 Schwarz, Innen-Ø 6mm / Außen 8mm x 20m, MPN: T0806B-20

    SMC T Druckluftschlauch Nylon 12 Schwarz, Innen-Ø 6mm / Außen 8mm x 20m, MPN: T0806B-20

    SMC T Druckluftschlauch Nylon 12 Schwarz, Innen-Ø 6mm / Außen 8mm x 20m.

    • SMC TMH Einschraubverschraubung PP, Zubehörtyp: Halter, MPN: TMH-06J
    • STMicroelectronics RF3L05150CB4 N-Kanal, SMD MOSFET 90 V / 2,5 A, 5-Pin LBB, Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Si
    • STMicroelectronics RF3L05150CB4 N-Kanal, SMD MOSFET 90 V / 2,5 A, 5-Pin LBB, Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Si