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Onsemi SiC Power N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 145 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 0,018 Ω, Gate-Schwellenspannung max.onsemi SiC Power N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 145 A, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

onsemi SiC Power N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 145 A, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,018 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3V, MPN: NTBG015N065SC1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi SiC Power N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 145 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Onsemi SiC Power N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 145 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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RS PRO Steckbarer Klemmenblock Header 5-Kontakte 3.5mm-Raster Gerade, Anzahl der Reihen: 1, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 10.0A, Betriebsspannung: 200,0 V
    • Littelfuse Sicherung 10x38mm flink 5A, MPN: KLK 5

    Littelfuse Sicherung 10x38mm flink 5A, MPN: KLK 5

    Littelfuse Sicherung 10x38mm flink 5A.

    • ITL Insulated Tools Ltd VDE Maul- und Ringschlüsselsatz, 9-teilig, VDE 1000V zugelassen: Ja, MPN: 1164
    • Moflash LED401 LED Blinkend, Rundum, Dauer Signalleuchte Rot, 24 V dc, Ø 150mm x 205mm, Montageart: Oberflächenmontage, Gehäusefarbe: Schwarz, Lampe inbegriffen: Ja, IP Schutzart: IP65, Temperatur (max.): +45°C, Temperatur (min.): -20°C, MPN: LED401-02-02RS
    • Nichicon UM SuperCap Superkondensator, radial 2.2F ±20% / 2.7V dc, -25°C+70°C, Ø 8 (Dia.) x 20mm, Spannung: 2.7V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Durchmesser: 8mm, Anschlussraster: 3.5mm, Leckstrom: 0,5 mA, Äquivalenter Serienwiderstand: 2Ω, Lebensdauer: 1000h, Kondensatorfamilie: Elektrisch, zwei Schichten, MPN: JUMT1225MPD
    • Rubycon YXG, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 100μF ±20% / 50V dc, Ø 10mm x 12.5mm, bis 105°C, Kapazität: 100µF, Spannung: 50V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 10 (Dia.) x 12.5mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Lebensdauer: 5000h, Leckstrom: 0,01 CV oder 3 μA, MPN: 50YXG100MEFC10X12.5
    • onsemi SiC Power N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 145 A, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,018 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3V, MPN: NTBG015N065SC1
    • onsemi SiC Power N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 62 A, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,05 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: NTBG045N065SC1
    • onsemi SiC Power N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 145 A, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,018 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3V, MPN: NTBG015N065SC1
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