Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 6,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 6,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, MPN: IRF7241TRPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 6,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 6,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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