onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 13,6 A 45 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: FQP13N06L
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Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 13,6 A 45 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 13,6 A 45 W, 3-Pin TO-220AB | |
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