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Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-3PN

About The 8mm, Betriebstemperatur max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 1,45 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FQA8N100C

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Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-3PN

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Specifications of Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-3PN

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Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-3PN
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Kingbright SMD LED Grün 2,5 V, 110° 2012 (0805), Lichtstärke: 50 mcd, Linsenform: Rechteck, Wellenlänge typ.: 570 nm, Abmessungen: 2 x 1.25 x 0.4mm, Linsenfarbe: Klar, MPN: KPHCM-2012CGCK
    • Microchip Mikrocontroller PIC18F PIC 8bit THT 4 KB, 256 B PDIP 18-Pin 40MHz 256 B RAM, Montage-Typ: Durchsteckmontage, A/D-Wandler Kanäle: 7, Versorgungsspannnung typ.: 4,2 bis 5,5 V, A/D-Wandler Auflösung: 10bit, MPN: PIC18F1220-I/P
    • CHEMI-CON KY, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 1000μF ±20% / 6.3V dc, Ø 8mm x 15mm, bis 105°C, Kapazität: 1000µF, Spannung: 6.3V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 8 x 15mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 3.5mm, Lebensdauer: 6000h, Äquivalenter Serienwiderstand: 87mΩ, Leckstrom: 63 μA, Brummstrom: 840mA eff., MPN: EKY-6R3ELL102MH15D
    • TDK, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X8L, 1μF / 16V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Kapazität: 1µF, Spannung: 16V dc, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: CGA3E1X8L1C105K080AC
    • TDK, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X8L, 1μF / 16V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Kapazität: 1µF, Spannung: 16V dc, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: CGA3E1X8L1C105K080AC