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TDK, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 4.7μF / 50V Dc, Gehäuse 0805 (2012M)

About The TDK, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 4.7μF / 50V dc, Gehäuse 0805 (2012M), Kapazität: 4

TDK, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 4.7μF / 50V dc, Gehäuse 0805 (2012M), Kapazität: 4.7µF, Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: CGA4J1X7R1H475K125AE

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Kondensatoren > Keramik Vielschichtkondensatoren

TDK, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 4.7μF / 50V Dc, Gehäuse 0805 (2012M)

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Specifications of TDK, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 4.7μF / 50V Dc, Gehäuse 0805 (2012M)

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TDK, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 4.7μF / 50V Dc, Gehäuse 0805 (2012M)
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Microchip Mikrocontroller PIC18F PIC 8bit SMD 32 KB PLCC 44-Pin 40MHz 1536 kB RAM, Versorgungsspannnung typ.: 4,2 → 5,5 V, A/D-Wandler Auflösung: 10bit, MPN: PIC18F452-I/L
    • onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 105 V / 5,9 A 135 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 33 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.4mm, Länge: 10.67mm, MPN: FDP3672
    • CHEMI-CON KY, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 4700μF ±20% / 25V dc, Ø 18mm x 35.5mm, bis 105°C, Kapazität: 4700µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 18 x 35.5mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 7.5mm, Lebensdauer: 10000h, Äquivalenter Serienwiderstand: 14mΩ, Leckstrom: 1170 μA, Brummstrom: 4220mA eff., MPN: EKY-250ELL472MMP1S
    • onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 51 A 320 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDP51N25
    • onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 51 A 320 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDP51N25