STMicroelectronics STripFET V N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 350 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 1.3mm, Länge: 3.04mm, MPN: STR2N2VH5
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STMicroelectronics STripFET V N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 350 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of STMicroelectronics STripFET V N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 350 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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