onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,9 A 500 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.92mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDN357N
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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,9 A 500 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,9 A 500 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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