Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC
About The : -30 V, +30 V, Länge: 15.: 5V, Gate-Schwellenspannung min
Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.87mm, MPN: IRFP4668PBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC | |
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