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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263

About The : 0,099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPB60R099P7ATMA1

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263, Drain-Source-Widerstand max.: 0,099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPB60R099P7ATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263

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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263
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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A, 3-Pin TO-220 FP, MPN: IPAN80R280P7XKSA1

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A, 3-Pin TO-220 FP, MPN: IPAN80R280P7XKSA1

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A, 3-Pin TO-220 FP.

    • STMicroelectronics IGBT / 4 A ±20V max., 600 V 75 W, 3-Pin DPAK, MPN: STGD4H60DF
    • HellermannTyton TLFX Warm- & Kaltschrumpfschlauch Weiß, Ø 2.4mm Schrumpfrate 2:1, Länge 144m, Schrumpfdurchmesser: 1.2mm, Hülsen Typ: Wärmeschrumpfend, Kleberbeschichtet: Nein, Halogenfrei: Ja, MPN: 554-51000 TLFX24WH-PO-X-WH
    • Vitrohm BWS, THT Widerstand 100Ω ±5% / 1.1W, Zusammensetzung:: Drahtwiderstand, MPN: BWS110JT-73-100RAA
    • Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 50 A, 3-Pin TO 263, Drain-Source-Widerstand max.: 0,04 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPB60R040C7ATMA1
    • Festo Trennplatte Typ Abschaltplatte Serie VMPA, MPN: VMPA1-HS

    Festo Trennplatte Typ Abschaltplatte Serie VMPA, MPN: VMPA1-HS

    Festo Trennplatte Typ Abschaltplatte Serie VMPA.

    • Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263, Drain-Source-Widerstand max.: 0,099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPB60R099P7ATMA1
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.87mm, MPN: IRFP4668PBF
    • Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263, Drain-Source-Widerstand max.: 0,099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPB60R099P7ATMA1
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.87mm, MPN: IRFP4668PBF