Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 50 A, 3-Pin TO 263
About The Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 50 A, 3-Pin TO 263, Drain-Source-Widerstand max.: 0,04 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 50 A, 3-Pin TO 263, Drain-Source-Widerstand max.: 0,04 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPB60R040C7ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 50 A, 3-Pin TO 263
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Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 50 A, 3-Pin TO 263 | |
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