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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37,9 A, 3-Pin TO-220 FP

About The : 0,099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPA60R099P6XKSA1

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37,9 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPA60R099P6XKSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37,9 A, 3-Pin TO-220 FP

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Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37,9 A, 3-Pin TO-220 FP

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