Infineon CoolGaN N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12,5 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,19 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.6V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IGT60R190D1SATMA1
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Infineon CoolGaN N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12,5 A, 8-Pin HSOF-8
Specifications of Infineon CoolGaN N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12,5 A, 8-Pin HSOF-8 | |
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