Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A 48 W, 3-Pin TO-220

Name: Onsemi | Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A 48 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand Max.: 82 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 5V, Gate-Schwellenspannung Min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: ±30 V, Länge: 10.63mm, Betriebstemperatur Max.: +150 °C, MPN: NTPF082N65S3F
Brand: onsemi
SKU: ABDU-99538
Price: 260.05 EUR
Availability: InStock

About The : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +150 °C, MPN: NTPF082N65S3F

onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A 48 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 82 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.63mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTPF082N65S3F

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Wurth Elektronik, WCAP-CSGP, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 330pF ±10% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: 885012206080

Wurth Elektronik, WCAP-CSGP, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 100pF ±10% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: 885012206077

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A 48 W, 3-Pin TO-220
Category
Instock	instock

Last Updated December 27th, 2024 03:04 pm

Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A 48 W, 3-Pin TO-220

More Varieties

Rating :- 9.96 /10

Votes :- 40

ROHM SCT N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 56 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 5.6V, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: SCT3040KW7TL

ROHM SCT N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 56 A, 7-Pin TO-263-7.

Lenox Sägeblatt / 6 TPI, 5 Stück für Abbruch, genageltes Holz, Sägeblattart: Säbelsägeblatt, MPN: 20371966R5

Lenox Sägeblatt / 6 TPI, 5 Stück für Abbruch, genageltes Holz.

TE Connectivity SSL IDC-Steckverbinder Buchse, gewinkelt, 2-polig / 1-reihig, Raster 4.0mm, Montagetyp: SMD, Nennstrom: 8.5A, Kontaktbeschichtung: Nickel verzinnt, Betriebstemperatur min.: -40.0°C, Betriebstemperatur (max.): 105.0°C, Betriebsspannung: 250,0 V ac, 250,0 V dc, Kontaktmaterial: Kupfer, Gehäusematerial: Thermoplast, MPN: 2106431-2

0mm.TE Connectivity SSL IDC-Steckverbinder Buchse, gewinkelt, 2-polig / 1-reihig, Raster 4.

ROHM SCT N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 38 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 5.6V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: SCT3060AW7TL

ROHM SCT N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 38 A, 7-Pin TO-263-7.

ROHM SCT N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 38 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 5.6V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: SCT3060AW7TL

ROHM SCT N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 38 A, 7-Pin TO-263-7.

Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A 48 W, 3-Pin TO-220

About The : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +150 °C, MPN: NTPF082N65S3F

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A 48 W, 3-Pin TO-220

ROHM SCT N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 56 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 5.6V, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: SCT3040KW7TL

Lenox Sägeblatt / 6 TPI, 5 Stück für Abbruch, genageltes Holz, Sägeblattart: Säbelsägeblatt, MPN: 20371966R5

ROHM SCT N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 38 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 5.6V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: SCT3060AW7TL

ROHM SCT N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 38 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 5.6V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: SCT3060AW7TL