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Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The .: 0,7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: SIHD690N60E-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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