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Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 11,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 0,18 Ω, 0,162 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.5V, MPN: SQD10950E_GE3

Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 11,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,18 Ω, 0,162 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, MPN: SQD10950E_GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 11,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 11,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 11,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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