Vishay SI1302DL-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 480 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SI1302DL-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 MA 280 MW, 3-Pin SOT-323
Specifications of Vishay SI1302DL-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 600 MA 280 MW, 3-Pin SOT-323 | |
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