onsemi NTMFS6H800NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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Onsemi NTMFS6H800NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN
Specifications of Onsemi NTMFS6H800NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN | |
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