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Infineon OptiMOS 3 IPP100N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 70 A 100 W, 3-Pin TO-220

About The : 3.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1

Infineon OptiMOS 3 IPP100N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 70 A 100 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 18,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS 3 IPP100N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 70 A 100 W, 3-Pin TO-220

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPP100N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 70 A 100 W, 3-Pin TO-220

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Infineon OptiMOS 3 IPP100N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 70 A 100 W, 3-Pin TO-220
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onsemi NVMFD5C672NL NVMFD5C672NLWFT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 49 A 45 W, 8-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 16,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 6.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • Souriau Sunbank by Eaton Souriau 8STA 8 Rundsteckverbinder Buchse 6-polig / 5.0A, Tafelmontage, Crimpanschluss IP 67, Steckergröße: Standard, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Anschlussart: Crimp, PC Tail, Gehäuseausrichtung: Gerade, Verbindungstyp: Bajonett, Gehäusematerial: Aluminium, Kontaktbeschichtung: Gold, Kontaktmaterial: Kupfer, MPN: 8STA00835SN
    • Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand 3.92kΩ ±1% / 0.1W, 0603 Gehäuse, MPN: CRCW06033K92FKEA
    • Aceleron Energy Ltd Lithium-Eisen-Phosphat Lithium Akku, 128-Zellen 51.2V / 28Ah, Innengewinde-Anschluss, MPN: 103A001-48V

    Aceleron Energy Ltd Lithium-Eisen-Phosphat Lithium Akku, 128-Zellen 51.2V / 28Ah, Innengewinde-Anschluss, MPN: 103A001-48V

    2V / 28Ah, Innengewinde-Anschluss.Aceleron Energy Ltd Lithium-Eisen-Phosphat Lithium Akku, 128-Zellen 51.

    • RS PRO PLM Winkelanschluss, Rohr-zu-Rohr, 10,2 bar, Eingangsanschluss: Einsteckmontage 8 mm
    • RS PRO Installationsdose, Satin 304 Edelstahl 75mm x 75mm x 50mm

    RS PRO Installationsdose, Satin 304 Edelstahl 75mm x 75mm x 50mm

    RS PRO Installationsdose, Satin 304 Edelstahl 75mm x 75mm x 50mm.

    • Infineon OptiMOS 3 IPP100N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 70 A 100 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 18,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
    • Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,7 nH 340mA / 5%, 7.7GHz, MPN: 7447820027

    Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,7 nH 340mA / 5%, 7.7GHz, MPN: 7447820027

    Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,7 nH 340mA / 5%, 7.7GHz.

    • Infineon OptiMOS 3 IPP100N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 70 A 100 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 18,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
    • Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,7 nH 340mA / 5%, 7.7GHz, MPN: 7447820027

    Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,7 nH 340mA / 5%, 7.7GHz, MPN: 7447820027

    7GHz.Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,7 nH 340mA / 5%, 7.