ROHM RQ5H030TN RQ5H030TNTL N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 3 A 1 W, 3-Pin TSMT-3, Drain-Source-Widerstand max.: 95 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±12 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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ROHM RQ5H030TN RQ5H030TNTL N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 3 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
Specifications of ROHM RQ5H030TN RQ5H030TNTL N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 3 A 1 W, 3-Pin TSMT-3 | |
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