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Eaton Bussmann SMD Induktivität, 100 μH 929mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 74 Gehäuse 7.6mm / ±20%, 100kHz

About The 35mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.6 x 4

Eaton Bussmann SMD Induktivität, 100 μH 929mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 74 Gehäuse 7.6mm / ±20%, 100kHz, Höhe: 4.35mm, Abmessungen: 7.6 x 7.6 x 4.35mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 419mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: DRA74-101-R

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Eaton Bussmann SMD Induktivität, 100 μH 929mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 74 Gehäuse 7.6mm / ±20%, 100kHz

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Specifications of Eaton Bussmann SMD Induktivität, 100 μH 929mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 74 Gehäuse 7.6mm / ±20%, 100kHz

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