Infineon HEXFET IRF1010ESTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 84 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,012 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Infineon HEXFET IRF1010ESTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 84 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon HEXFET IRF1010ESTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 84 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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