Infineon IPB60R080P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 37 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 4V.: 80 mO, Gate-Schwellenspannung max
Infineon IPB60R080P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 37 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 80 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPB60R080P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 37 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon IPB60R080P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 37 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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