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Infineon OptiMOS 3 IPI086N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

About The : +175 °C.Infineon OptiMOS 3 IPI086N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin I2PAK (TO-262), Drain-Source-Widerstand max

Infineon OptiMOS 3 IPI086N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin I2PAK (TO-262), Drain-Source-Widerstand max.: 15,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS 3 IPI086N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPI086N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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